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中国工程院院士丁荣军 :第三代半导体技术将来十年复合增速将超20% 当前热讯

发表于 2025-07-04 03:20:49 来源:TMGM数据早报


(资料图)

上证报记者俞立严摄

中国工程院院士丁荣军:第三代半导体技术将来十年复合增速将超20% 当前热讯

上证报中国证券网讯(记者俞立严)6月29日  ,在浙江瑞安召开的2023国际新资源智慧网联汽车创新生态大会上 ,中国工程院院士丁荣军表示 ,TMGM外汇平台点差以碳化硅为代表的第三代半导体技术(包括Si-IGBT与SiC二极管相结合的技术)已经开展获得软件,并具有很大的TMGM外汇代理性能及市场潜力 ,将在将来十年获得高达年复合20%以上的快速上升  。

丁荣军表示,在电动汽车的软件驱动、性价比权衡、支出惯性等因素作用下,IC Markets外汇平台将来十年Si-IGBT仍将是功率半导体器件的主流 ,并将与碳化硅功率器件长期并存。

丁荣军预测 ,随着硅基资料逐渐逼近其物理极限,功率半导体将朝着更高的禁带宽度、热导率和资料平稳性等方向推动,功率器件技术演进将助力新资源汽车向高性能、充电快 、长续航等方向推动 。

(素材出处 :上海证券报·中国证券网)

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